基本信息
| 标准名称： | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor devices -Discrete devices -Part 6:Thyristors- Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs), ambient or case-rated,up to 100A |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体整流器件 |
| ICS分类： | 电子学 >> 半导体器件 >> 晶体闸流管 |
| 替代情况： | GB/T 6590-1986 |
| 发布部门： | 国家质量技术监督局 |
| 发布日期： | 1998-01-01 |
| 实施日期： | 1999-06-01 |
| 首发日期： | 1986-07-23 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 电子部标准化所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：14， 字数：23千字 |
适用范围
本空白详细规范规定了制定100A以下（含100A）环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体整流器件 电子学 半导体器件 晶体闸流管