基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes |
| 中标分类： | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-02-01 |
| 实施日期： | 1992-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂 |
| 起草人： | 王长福、龚云、葛毅妮 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1992-04-01 |
| 页数： | 11页 |
适用范围
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
前言
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目录
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引用标准
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 综合 标准化管理与一般规定 技术管理